A ChangXin Memory Technologies iniciou a produção de HBM3E em quantidades pequenas e pretende ampliar o volume em 2027, apurou o The Information com fontes ligadas à empresa. É o degrau mais alto que a indústria chinesa de memória alcançou até agora.
HBM é o item que define quantos aceleradores de IA se conseguem montar, porque cada GPU de ponta consome pilhas dessas memórias empilhadas e ligadas ao die lógico. Até aqui, o trio Samsung, SK Hynix e Micron detinha o processo com folga, e o cerco americano à China mirava justamente esse gargalo. Uma linha chinesa de HBM3E, ainda que modesta, muda a conta de risco de quem apostava que Pequim ficaria travada em DDR comum.
A CXMT vem acumulando anúncios: semanas atrás afirmou ter batido as três rivais na produção em massa de LPDDR6, com estreia em smartphone da Xiaomi, e disputa na Justiça americana sua permanência na lista de empresas ligadas ao setor militar. O que ninguém sabe é o rendimento por wafer nem quanto desse HBM3E chega a um cliente que projete acelerador competitivo.
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