O governo dos Estados Unidos firmou um compromisso condicional de empréstimo de US$ 1,5 bilhão com a Wolfspeed para ampliar a produção local de semicondutores de carboneto de silício (SiC) e nitreto de gálio (GaN). Parte do financiamento está atrelada a iniciativas do Departamento de Defesa.
SiC e GaN são os materiais de potência que estão migrando do carro elétrico para a sala de dados: conversão de energia em alta tensão, fontes de rack e os estágios que entregam corrente ao acelerador. Quanto mais denso o rack de IA, mais a perda na conversão vira calor e conta de luz, e é exatamente aí que esses semicondutores ganham espaço sobre o silício comum.
O compromisso é condicional, ou seja, depende de marcos ainda a cumprir. Não foi divulgado cronograma de desembolso nem a capacidade adicional em wafers que o dinheiro deve destravar.
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