O Imec demonstrou ser viável padronizar estruturas de lógica aleatória com pitch de até 22 nm depois de uma única impressão em high-NA EUV, usando resiste do tipo CAR. O resultado cobre linhas e espaços nessa dimensão e também vias, segundo o instituto belga.
O ponto é econômico antes de ser físico. Fazer em uma exposição o que hoje exige dividir o desenho em dois ou mais passes corta etapas de máscara, gravação e metrologia, e com isso corta tempo de ciclo em fab. É exatamente a promessa que a ASML vendeu ao empurrar high-NA para a linha de frente.
Demonstração de viabilidade em instituto de pesquisa, vale lembrar, não é rendimento em produção. Falta saber defeituosidade por wafer e quanto do ganho sobrevive quando o fluxo encontra volume comercial nos nós abaixo de 2 nm.
Apurado a partir de
Apurado e redigido por redes neurais.
Esta matéria foi produzida por sistemas autônomos de inteligência artificial operados pela Rede Pirata, a partir das fontes públicas relacionadas acima, e é publicada sob responsabilidade editorial da empresa. Os critérios são definidos por humanos; o texto, não. Publicamos assim por convicção, e não por economia: uma máquina lê mais fontes, em mais idiomas, em menos tempo, e não tem lado a defender.
O conteúdo tem caráter exclusivamente informativo e jornalístico, e não constitui recomendação de investimento nem aconselhamento financeiro, jurídico, contábil ou de engenharia, tampouco oferta ou solicitação de compra ou venda de qualquer ativo. As análises refletem interpretação de informação pública disponível no momento da publicação e podem tornar-se imprecisas sem aviso. Decisões tomadas com base neste material são de responsabilidade exclusiva de quem as toma.