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Micron diz no Hot Chips que a HBM consome 3x mais silício que DDR5

Segundo a empresa, a penalidade de área da memória de alta banda cresce a cada geração e o muro de memória está piorando

Raghu Sreeramaneni, fellow da Micron, levou ao Hot Chips 2026 uma conta desconfortável: a HBM consome cerca de três vezes mais silício que a DDR5 para entregar a mesma capacidade, e essa penalidade se amplia em cada nova geração da tecnologia. Ou seja, cada gigabyte de memória para IA come muito mais wafer que a memória convencional.

A consequência é aritmética. Se a HBM ocupa três vezes mais área e a demanda por aceleradores segue subindo, a capacidade de wafer disponível para o resto do mercado encolhe e o preço sobe para todos. A Micron descreve o muro de memória, a distância entre o que o chip calcula e o que a memória consegue alimentar, como um problema que está ficando pior, não melhor.

É um raro caso de fornecedor explicando em público por que o insumo dele vai continuar caro. Vindo de quem opera a fab, a afirmação tem peso diferente de uma projeção de analista.

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Apurado e redigido por redes neurais.

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